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iPhone 6s深槽隔離技術(shù)是什么 攝像頭深槽隔離技術(shù)詳解

時間：2015/9/10 15:09:00人氣：0次作者：qqtn強(qiáng)柔我要評論(0)

iPhone6s最近在攝像頭上面花了大力氣，不僅攝像頭升級為1200萬與500萬，同時又為了使得攝像頭對焦也更加準(zhǔn)確，CMOS 為了降噪也采用了成為“深槽隔離”技術(shù)，那么深槽隔離技術(shù)是什么鬼？

下面小編來安利一下：CMoS集成電路具有功耗低、噪聲容限大、集成度高等突出優(yōu)點(diǎn),是Lsl和vLsl的發(fā)展方向之一。但是,CMOs結(jié)構(gòu)的致命弱點(diǎn)是易發(fā)生門鎖。隨著集成技術(shù)的發(fā)展,器件的橫向尺寸(如柵長等)及縱向尺寸(如阱深等)都必須縮小,因此,導(dǎo)致寄生雙極晶體管的增益增大,使得常規(guī)的局部選擇氧化隔離工藝 (LoCos)中的門鎖何題變得更加突出. LoCoS一直是Mos IC的標(biāo)準(zhǔn)隔離工藝,由于此工藝采用了簡單的自對準(zhǔn)注入來控制場區(qū)閉值電壓,因而在制造高性能的NMoS IC中得到了廣泛應(yīng)用.但在CMos工藝中,為了在n一區(qū)和p一區(qū)進(jìn)行自對準(zhǔn)的場注入,必須增加一次光刻,因此,LOCOS工藝并不完美,而更嚴(yán)重的是由于LOCOS工藝的場氧化和場注入要產(chǎn)生“鳥咀”效應(yīng)和“窄溝道刀效應(yīng),限制了集成密度的提高〔”。 深槽隔離工藝是利用反應(yīng)離子刻蝕U型槽,然后在槽中填充介質(zhì)為了使得攝像頭對焦也更加準(zhǔn)確，CMOS 為了降噪也采用了成為“深槽隔離”技術(shù)。

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